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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.580 |
| 10+ | $ 3.100 |
| 25+ | $ 2.940 |
| 50+ | $ 2.760 |
| 100+ | $ 2.600 |
| 250+ | $ 2.410 |
| 500+ | $ 2.210 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFP3703PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark64AH3710
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id210A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
Power Dissipation Pd230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto

