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IRFP250NPBF
MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFP250NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark63J6859
Gama de produtosHEXFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.780 |
| 10+ | $ 2.450 |
| 100+ | $ 1.930 |
| 800+ | $ 1.660 |
| 1200+ | $ 1.640 |
| 2800+ | $ 1.600 |
| 5200+ | $ 1.490 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFP250NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark63J6859
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd214W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFP250NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 214W at 25°C
- Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
214W
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRFP250NPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos