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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.250 | $ 1.25 |
| Total Preço | $ 1.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.250 |
| 10+ | $ 0.814 |
| 25+ | $ 0.732 |
| 50+ | $ 0.650 |
| 100+ | $ 0.568 |
| 250+ | $ 0.515 |
| 500+ | $ 0.462 |
| 1000+ | $ 0.428 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFL4105TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9117
Segmento de fita13AC9117
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.1W
Power Dissipation2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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