Imprimir página
IRFL014NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFL014NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5293
Rodo à Medida40M7891RL
Segmento de fita40M7891
Também conhecido porSP001554878
Seu número de peça
5,689 Em Estoque
50,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.230 | $ 1.23 |
| Total Preço | $ 1.23 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.230 |
| 10+ | $ 0.802 |
| 25+ | $ 0.726 |
| 50+ | $ 0.651 |
| 100+ | $ 0.575 |
| 250+ | $ 0.511 |
| 500+ | $ 0.444 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.220 |
| 5000+ | $ 0.211 |
| 10000+ | $ 0.202 |
| 15000+ | $ 0.191 |
| 25000+ | $ 0.186 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFL014NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5293
Rodo à Medida40M7891RL
Segmento de fita40M7891
Também conhecido porSP001554878
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFL014NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto