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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.300 |
| 10+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 1.080 |
| 500+ | $ 1.030 |
| 1000+ | $ 0.987 |
| 2500+ | $ 0.943 |
| 10000+ | $ 0.889 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.30
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFIZ24NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark64AH3707
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd29W
Power Dissipation29W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
29W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
29W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidade do produto

