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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 13 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.040 | $ 5.20 |
| Total Preço | $ 5.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.040 |
| 10+ | $ 0.648 |
| 25+ | $ 0.573 |
| 50+ | $ 0.499 |
| 100+ | $ 0.423 |
| 250+ | $ 0.375 |
| 500+ | $ 0.327 |
| 1000+ | $ 0.296 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFHM9331TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39AH8935RL
Segmento de fita39AH8935
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
On Resistance Rds(on)0.01ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.8W
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto

