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IRFH7545TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 85 A, 0.0052 ohm, PQFN, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFH7545TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AC9742RL
Segmento de fita12AC9742
Gama de produtosStrongIRFET, HEXFET
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.930 | $ 1.93 |
| Total Preço | $ 1.93 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.930 |
| 10+ | $ 1.230 |
| 25+ | $ 1.090 |
| 50+ | $ 0.958 |
| 100+ | $ 0.824 |
| 250+ | $ 0.739 |
| 500+ | $ 0.652 |
| 1000+ | $ 0.603 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFH7545TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AC9742RL
Segmento de fita12AC9742
Gama de produtosStrongIRFET, HEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance0.0052ohm
On Resistance Rds(on)0.0043ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation83W
Power Dissipation Pd83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0052ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
On Resistance Rds(on)
0.0043ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation Pd
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto