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IRFH7085TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFH7085TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31Y2064RL
Segmento de fita31Y2064
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.950 | $ 2.95 |
| Total Preço | $ 2.95 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.950 |
| 10+ | $ 1.920 |
| 25+ | $ 1.710 |
| 50+ | $ 1.510 |
| 100+ | $ 1.310 |
| 250+ | $ 1.190 |
| 500+ | $ 1.070 |
| 1000+ | $ 0.986 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFH7085TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31Y2064RL
Segmento de fita31Y2064
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Drain Source On State Resistance0.0032ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET. The device is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier and resonant mode power supplies.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto