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IRFH6200TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.130 | $ 2.13 |
| Total Preço | $ 2.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.130 |
| 50+ | $ 1.350 |
| 100+ | $ 1.000 |
| 250+ | $ 0.938 |
| 500+ | $ 0.873 |
| 1000+ | $ 0.815 |
| 2500+ | $ 0.774 |
| 5000+ | $ 0.740 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFH6200TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91Y4700RL
Segmento de fita91Y4700
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance950µohm
On Resistance Rds(on)750µohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation Pd156W
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
950µohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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