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IRFB7530PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB7530PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark43X7200
Gama de produtosStrongIRFET HEXFET Series
Também conhecido porSP001575524
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.040 |
| 10+ | $ 3.680 |
| 25+ | $ 3.490 |
| 50+ | $ 3.300 |
| 100+ | $ 3.100 |
| 250+ | $ 2.910 |
| 500+ | $ 2.720 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB7530PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark43X7200
Gama de produtosStrongIRFET HEXFET Series
Também conhecido porSP001575524
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id195A
On Resistance Rds(on)0.00165ohm
Drain Source On State Resistance0.002ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd375W
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFB7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Aplicações
Motor Drive & Control, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.00165ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
375W
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos