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IRFB4510PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB4510PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark39AH8934
Gama de produtosHEXFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.030 |
| 10+ | $ 1.320 |
| 100+ | $ 1.070 |
| 500+ | $ 0.709 |
| 1000+ | $ 0.649 |
| 3000+ | $ 0.645 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.03
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB4510PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark39AH8934
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
On Resistance Rds(on)0.0107ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd140W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
On Resistance Rds(on)
0.0107ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
140W
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto