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IRFB4229PBF
Power MOSFET, HEXFET®, N Channel, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB4229PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark18M1487
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.840 |
| 10+ | $ 3.350 |
| 100+ | $ 2.500 |
| 500+ | $ 2.140 |
| 1000+ | $ 2.100 |
| 2500+ | $ 2.050 |
| 5000+ | $ 2.010 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB4229PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark18M1487
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id46A
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd330W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFB4229PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.
- Advanced process technology
- Low Qg for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Aplicações
Audio, Consumer Electronics, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
330W
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
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