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IRFB3407ZPBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 122 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB3407ZPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark49AC0308
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id122A
Drain Source On State Resistance0.0064ohm
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
Power Dissipation Pd230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
HEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0064ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
122A
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRFB3407ZPBF
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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