Imprimir página
IRF9Z34NPBF.
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Entrega estimada após a confirmação do pedido.Ser-lhe-á feita a cobrança aquando do envio.
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.720 |
| 10+ | $ 0.875 |
| 100+ | $ 0.770 |
| 500+ | $ 0.644 |
| 1000+ | $ 0.587 |
| 4000+ | $ 0.553 |
| 10000+ | $ 0.514 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.72
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9Z34NPBF.Cópia
Código Newark26AC0654
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd56W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF9Z34NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
56W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRF9Z34NPBF.
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto