IRF9Z24NPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.260 |
| 10+ | $ 0.784 |
| 100+ | $ 0.515 |
| 500+ | $ 0.405 |
| 1000+ | $ 0.355 |
| 2500+ | $ 0.314 |
| 10000+ | $ 0.269 |
Informação do produto
Descrição geral do produto
The IRF9Z24NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
P Channel
55V
0.175ohm
TO-220AB
45W
4V
3Pins
-
-
P Channel
12A
0.175ohm
Through Hole
10V
45W
175°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade do produto