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IRF9952TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9952TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5404
Rodo à Medida42Y0426RL
Segmento de fita42Y0426
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.200 | $ 6.00 |
| Total Preço | $ 6.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.200 |
| 50+ | $ 0.746 |
| 100+ | $ 0.491 |
| 250+ | $ 0.437 |
| 500+ | $ 0.383 |
| 1000+ | $ 0.378 |
| 2500+ | $ 0.346 |
| 5000+ | $ 0.287 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.307 |
| 8000+ | $ 0.295 |
| 16000+ | $ 0.283 |
| 24000+ | $ 0.270 |
| 40000+ | $ 0.263 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9952TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5404
Rodo à Medida42Y0426RL
Segmento de fita42Y0426
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id3.5A
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.08ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.08ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Dual N-and P- channel HEXFET® power MOSFET
- Generation V technology
- Ultra low on-resistance
- Very low gate charge and switching loses
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.08ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.08ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto