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IRF9530NSTRLPBF
MOSFET, P-CH, -100V, -14A, TO-263AB
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.140 | $ 2.14 |
| Total Preço | $ 2.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.140 |
| 50+ | $ 1.030 |
| 100+ | $ 0.923 |
| 250+ | $ 0.905 |
| 500+ | $ 0.886 |
| 1000+ | $ 0.868 |
| 2500+ | $ 0.849 |
| 5000+ | $ 0.831 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 0.729 |
| 2400+ | $ 0.647 |
| 4000+ | $ 0.634 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9530NSTRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5402
Rodo à Medida13AC9222RL
Segmento de fita13AC9222
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
Power Dissipation Pd79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
14A
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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