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IRF9362TRPBF
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9362TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79R7564RL
Segmento de fita79R7564
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001555840
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.340 | $ 6.70 |
| Total Preço | $ 6.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.340 |
| 50+ | $ 0.874 |
| 100+ | $ 0.613 |
| 250+ | $ 0.557 |
| 500+ | $ 0.500 |
| 1000+ | $ 0.465 |
| 2500+ | $ 0.433 |
| 5000+ | $ 0.409 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9362TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79R7564RL
Segmento de fita79R7564
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001555840
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.017ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.017ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The IRF9362TRPBF is a HEXFET® dual P-channel Power MOSFET for use with charge and discharge switch for notebook PC battery applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Industry standard package for multi-vendor compatibility
- Halogen-free
Aplicações
Computers & Computer Peripherals, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.017ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.017ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto