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IRF9321TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 15 A, 0.0072 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.110 | $ 1.11 |
| Total Preço | $ 1.11 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.110 |
| 10+ | $ 0.731 |
| 25+ | $ 0.682 |
| 50+ | $ 0.633 |
| 100+ | $ 0.584 |
| 250+ | $ 0.530 |
| 500+ | $ 0.476 |
| 1000+ | $ 0.441 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9321TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9220RL
Segmento de fita13AC9220
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.0059ohm
Drain Source On State Resistance7200µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0059ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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