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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.250 | $ 6.25 |
| Total Preço | $ 6.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.250 |
| 10+ | $ 0.782 |
| 25+ | $ 0.692 |
| 50+ | $ 0.604 |
| 100+ | $ 0.514 |
| 250+ | $ 0.456 |
| 500+ | $ 0.399 |
| 1000+ | $ 0.363 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF9317TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79R7549RL
Segmento de fita79R7549
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porSP001575412
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
