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IRF8113TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 17.2 A, 0.0056 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.708 | $ 0.71 |
| Total Preço | $ 0.71 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.708 |
| 10+ | $ 0.706 |
| 25+ | $ 0.646 |
| 50+ | $ 0.587 |
| 100+ | $ 0.539 |
| 250+ | $ 0.514 |
| 500+ | $ 0.492 |
| 1000+ | $ 0.476 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF8113TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31K2303RL
Segmento de fita31K2303
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porSP001554458
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id17.2A
Drain Source On State Resistance0.0056ohm
On Resistance Rds(on)0.0056ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd-
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRF8113TRPBF
4 produtos encontrados
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0056ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.2A
On Resistance Rds(on)
0.0056ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
-
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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