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IRF7854TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.840 | $ 9.20 |
| Total Preço | $ 9.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.840 |
| 10+ | $ 1.210 |
| 25+ | $ 1.090 |
| 50+ | $ 0.986 |
| 100+ | $ 0.876 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.598 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7854TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5388
Rodo à Medida13AC9209RL
Segmento de fita13AC9209
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.0134ohm
On Resistance Rds(on)0.011ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
N-channel StrongIRFET™ power MOSFET ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. Suitable for use in primary side switch in bridge or two switch forward topologies using 48V (±10%) or 36V to 60V ETSI range inputs, secondary side synchronous rectification Switch for 12Vout, suitable for 48V non-isolated synchronous Buck DC-DC applications.
- Low gate to drain charge to reduce switching losses
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Product qualification according to JEDEC standard
- Standard pinout allows for drop-in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0134ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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