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IRF7820TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.7 A, 0.078 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.270 | $ 2.27 |
| Total Preço | $ 2.27 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.270 |
| 10+ | $ 1.470 |
| 25+ | $ 1.350 |
| 50+ | $ 1.220 |
| 100+ | $ 1.100 |
| 250+ | $ 0.990 |
| 500+ | $ 0.880 |
| 1000+ | $ 0.835 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7820TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rodo à Medida99AC3985RL
Segmento de fita99AC3985
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.7A
On Resistance Rds(on)0.0625ohm
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0625ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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