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IRF7749L1TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 375 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7749L1TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9204RL
Segmento de fita13AC9204
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.350 | $ 7.35 |
| Total Preço | $ 7.35 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.350 |
| 50+ | $ 4.960 |
| 100+ | $ 3.610 |
| 250+ | $ 3.530 |
| 500+ | $ 3.450 |
| 1000+ | $ 3.380 |
| 2500+ | $ 3.310 |
| 5000+ | $ 3.240 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7749L1TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9204RL
Segmento de fita13AC9204
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id375A
On Resistance Rds(on)0.0011ohm
Drain Source On State Resistance0.0015ohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- IR MOSFET-DirectFET™
- Ideal for high performance isolated converter primary switch socket
- Optimized for synchronous rectification
- Low conduction losses
- High Cdv/dt immunity
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Dual sided cooling compatible
- Compatible with existing surface mount techniques
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0011ohm
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
15Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
375A
Drain Source On State Resistance
0.0015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto