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IRF7607TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.5 A, 30 mohm, µSOIC, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.766 | $ 0.77 |
| Total Preço | $ 0.77 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.766 |
| 10+ | $ 0.626 |
| 25+ | $ 0.554 |
| 50+ | $ 0.492 |
| 100+ | $ 0.422 |
| 250+ | $ 0.371 |
| 500+ | $ 0.294 |
| 1000+ | $ 0.282 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7607TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91Y4753
Segmento de fita91Y4753
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.5A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleµSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.8W
Power Dissipation Pd1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Alternativas para IRF7607TRPBF
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
µSOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (08-Jul-2021)
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