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IRF7380TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7380TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo31K2220
Rodo à Medida73R1193RL
Segmento de fita73R1193
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001574936
Seu número de peça
3,037 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.398 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 1.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.550 |
| 50+ | $ 0.976 |
| 100+ | $ 0.649 |
| 250+ | $ 0.579 |
| 500+ | $ 0.509 |
| 1000+ | $ 0.463 |
| 2500+ | $ 0.425 |
| 5000+ | $ 0.417 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.398 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7380TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo31K2220
Rodo à Medida73R1193RL
Segmento de fita73R1193
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001574936
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel3.6A
Continuous Drain Current Id P Channel3.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.061ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.061ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.061ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.061ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
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