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IRF7341GTRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7341GTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5375
Rodo à Medida49AC0327RL
Segmento de fita49AC0327
Gama de produtosHEXFET Series
Seu número de peça
2,425 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.440 | $ 2.44 |
| Total Preço | $ 2.44 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.440 |
| 50+ | $ 1.570 |
| 100+ | $ 1.070 |
| 250+ | $ 0.962 |
| 500+ | $ 0.854 |
| 1000+ | $ 0.785 |
| 2500+ | $ 0.777 |
| 5000+ | $ 0.761 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.782 |
| 8000+ | $ 0.762 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7341GTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5375
Rodo à Medida49AC0327RL
Segmento de fita49AC0327
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id5.1A
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id
5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto