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IRF7104TRPBF
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7104TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida42Y0394RL
Segmento de fita42Y0394
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 10 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.470 | $ 1.47 |
| Total Preço | $ 1.47 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.470 |
| 50+ | $ 0.820 |
| 100+ | $ 0.604 |
| 250+ | $ 0.584 |
| 500+ | $ 0.564 |
| 1000+ | $ 0.524 |
| 2500+ | $ 0.491 |
| 5000+ | $ 0.473 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF7104TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida42Y0394RL
Segmento de fita42Y0394
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.3A
Continuous Drain Current Id P Channel2.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.19ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.19ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.19ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.19ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto