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IRF6727MTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 180 A, 0.0017 ohm, DirectFET MX, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 3.040 | $ 15.20 |
| Total Preço | $ 15.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 3.040 |
| 10+ | $ 1.970 |
| 15+ | $ 1.820 |
| 25+ | $ 1.670 |
| 50+ | $ 1.510 |
| 125+ | $ 1.360 |
| 250+ | $ 1.230 |
| 500+ | $ 1.100 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4800+ | $ 0.931 |
| 14400+ | $ 0.919 |
| 24000+ | $ 0.901 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF6727MTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5366
Rodo à Medida91Y4749RL
Segmento de fita91Y4749
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
On Resistance Rds(on)0.00122ohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation Pd89W
Power Dissipation89W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET and schottky diode in a DirectFET™ MT package. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Dual sided cooling compatible
- Ultra low package inductance
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for both sync.FET and some control FET application
- Low conduction and switching losses
- Product qualification according to JEDEC standard
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
89W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
On Resistance Rds(on)
0.00122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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