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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.010 | $ 3.01 |
| Total Preço | $ 3.01 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.010 |
| 50+ | $ 1.690 |
| 100+ | $ 1.590 |
| 250+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.380 |
| 1000+ | $ 1.290 |
| 2500+ | $ 1.220 |
| 5000+ | $ 1.170 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4800+ | $ 1.210 |
| 14400+ | $ 1.190 |
| 24000+ | $ 1.160 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF6717MTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5365
Rodo à Medida34AC1776RL
Segmento de fita34AC1776
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id38A
On Resistance Rds(on)950µohm
Drain Source On State Resistance0.00125ohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation96W
Power Dissipation Pd96W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MX package ideal for CPU Core DC-DC converters, LED, motor control and notebook.
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- Industry standard qualification level
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction and switching losses
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for sync. FET socket of sync. buck converter
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
950µohm
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
No. of Pins
5Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.00125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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