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IRF6645TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 25 A, 35 mohm, DirectFET SJ, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF6645TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5364
Rodo à Medida13AC9183RL
Segmento de fita13AC9183
Gama de produtosHEXFET Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.050 | $ 2.05 |
| Total Preço | $ 2.05 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.050 |
| 50+ | $ 1.290 |
| 100+ | $ 0.927 |
| 250+ | $ 0.838 |
| 500+ | $ 0.749 |
| 1000+ | $ 0.672 |
| 2500+ | $ 0.627 |
| 5000+ | $ 0.604 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4800+ | $ 0.688 |
| 14400+ | $ 0.654 |
| 24000+ | $ 0.641 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF6645TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5364
Rodo à Medida13AC9183RL
Segmento de fita13AC9183
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleDirectFET SJ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation Pd42W
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel strongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ SJ package suitable for use in power supplies and isolated DC-DC converters.
- Optimized for synchronous rectification
- Application specific MOSFET
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- High power density
- Optimum thermal performance
- Compact form factor
- High efficiency
- Environmentally friendly
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Case Style
DirectFET SJ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
42W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto