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IRF640NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 150 mohm, TO-263AB, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF640NSTRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5361
Rodo à Medida42Y0392RL
Segmento de fita42Y0392
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.110 | $ 2.11 |
| Total Preço | $ 2.11 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.110 |
| 10+ | $ 1.330 |
| 25+ | $ 1.220 |
| 50+ | $ 1.110 |
| 100+ | $ 1.000 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 0.659 |
| 1600+ | $ 0.631 |
| 3200+ | $ 0.604 |
| 4800+ | $ 0.573 |
| 8000+ | $ 0.536 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF640NSTRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5361
Rodo à Medida42Y0392RL
Segmento de fita42Y0392
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance150mohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF640NSTRLPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
150mohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRF640NSTRLPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto