Imprimir página
IRF540NPBF.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 44 mohm, TO-220AB, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF540NPBF.Cópia
Código Newark26AC0594
Também conhecido porSP001561906
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Entrega estimada após a confirmação do pedido.Ser-lhe-á feita a cobrança aquando do envio.
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.540 |
| 10+ | $ 0.743 |
| 100+ | $ 0.664 |
| 500+ | $ 0.527 |
| 1000+ | $ 0.482 |
| 2500+ | $ 0.445 |
| 10000+ | $ 0.405 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.54
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF540NPBF.Cópia
Código Newark26AC0594
Também conhecido porSP001561906
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Drain Source On State Resistance44mohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd130mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Descrição geral do produto
The IRF540NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 130W at 25°C
- Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
44mohm
Power Dissipation Pd
130mW
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
130mW
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRF540NPBF.
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto