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IRF3808STRLPBF
MOSFET, N-CH, 75V, 106A, TO-263
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.960 | $ 3.96 |
| Total Preço | $ 3.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.960 |
| 50+ | $ 2.010 |
| 100+ | $ 1.820 |
| 250+ | $ 1.780 |
| 500+ | $ 1.750 |
| 1000+ | $ 1.710 |
| 2500+ | $ 1.670 |
| 5000+ | $ 1.640 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF3808STRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida34AC1769RL
Segmento de fita34AC1769
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source On State Resistance7000µohm
On Resistance Rds(on)0.0059ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
106A
On Resistance Rds(on)
0.0059ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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