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IRF3808PBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 140 A, 0.007 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.770 |
| 10+ | $ 1.900 |
| 100+ | $ 1.720 |
| 500+ | $ 1.430 |
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Vários: 1
$ 3.77
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF3808PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark39AH8948
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source On State Resistance0.007ohm
On Resistance Rds(on)0.0059ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd330W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
330W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
140A
On Resistance Rds(on)
0.0059ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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