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IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET, N-CH, 55V, 75A, TO-263AB
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.670 | $ 2.67 |
| Total Preço | $ 2.67 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.670 |
| 10+ | $ 1.720 |
| 25+ | $ 1.550 |
| 50+ | $ 1.360 |
| 100+ | $ 1.170 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 0.923 |
| 1600+ | $ 0.887 |
| 3200+ | $ 0.851 |
| 4800+ | $ 0.811 |
| 8000+ | $ 0.771 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF3205ZSTRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5351
Rodo à Medida13AC9175
Segmento de fita13AC9175
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance6500µohm
On Resistance Rds(on)0.0049ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
Power Dissipation Pd170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.0049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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