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IRF2807ZPBF
MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF2807ZPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark38K2765
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.390 |
| 10+ | $ 1.700 |
| 100+ | $ 1.200 |
| 500+ | $ 1.010 |
| 1000+ | $ 0.927 |
| 3000+ | $ 0.878 |
| 10000+ | $ 0.856 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.39
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF2807ZPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark38K2765
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id89A
Drain Source On State Resistance9400µohm
On Resistance Rds(on)0.0094ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd170W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRF2807ZPBF
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The IRF2807ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is also suitable for AC-to-DC, consumer full-bridge, full-bridge and push-pull applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
9400µohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
170W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
89A
On Resistance Rds(on)
0.0094ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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