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IRF2804STRLPBF
SINGLE N-CHANNEL 40 V 330 W 160 NC*NIC*
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.500 | $ 3.50 |
| Total Preço | $ 3.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.500 |
| 10+ | $ 2.290 |
| 25+ | $ 2.060 |
| 50+ | $ 1.820 |
| 100+ | $ 1.600 |
| 250+ | $ 1.450 |
| 500+ | $ 1.300 |
| 1600+ | $ 1.290 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF2804STRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9173
Segmento de fita13AC9173
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance2000µohm
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
Power Dissipation Pd300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRF2804STRLPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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