Imprimir página
IRF1010EPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF1010EPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark63J7165
Também conhecido porSP001569818
Seu número de peça
703 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.330 |
| 10+ | $ 1.290 |
| 100+ | $ 1.040 |
| 500+ | $ 0.838 |
| 1000+ | $ 0.828 |
| 3000+ | $ 0.735 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.33
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF1010EPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark63J7165
Também conhecido porSP001569818
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id81A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd170W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Industry-leading quality
- Planar MOSFET technology
- ±20V gate to source voltage
- 1.4W/°C linear derating factor
- 50A avalanche current (IAR)
- 0.75°C/W thermal resistance, junction to case
- 62°C/W thermal resistance, junction to ambient
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
81A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
170W
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRF1010EPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos