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IRF100P218AKMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 209A, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF100P218AKMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark22AJ2196
Gama de produtosStrongIRFET
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.100 |
| 10+ | $ 6.310 |
| 25+ | $ 5.990 |
| 50+ | $ 5.670 |
| 100+ | $ 5.350 |
| 250+ | $ 5.160 |
| 500+ | $ 4.960 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 9.10
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF100P218AKMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark22AJ2196
Gama de produtosStrongIRFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id209A
Drain Source On State Resistance1100µohm
On Resistance Rds(on)0.0011ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation556W
Power Dissipation Pd556W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
556W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
209A
On Resistance Rds(on)
0.0011ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation Pd
556W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto