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IQE022N06LM5CGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIQE022N06LM5CGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AK6160RL
Segmento de fita78AK6160
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.470 | $ 3.47 |
| Total Preço | $ 3.47 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.470 |
| 10+ | $ 2.140 |
| 25+ | $ 1.950 |
| 50+ | $ 1.750 |
| 100+ | $ 1.560 |
| 250+ | $ 1.420 |
| 500+ | $ 1.290 |
| 1000+ | $ 1.260 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIQE022N06LM5CGATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AK6160RL
Segmento de fita78AK6160
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id151A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTTFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation100W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
151A
Transistor Case Style
TTFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
9Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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