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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIQE006NE2LM5CGSCATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AK3795RL
Segmento de fita62AK3795
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.480 | $ 4.48 |
| Total Preço | $ 4.48 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.480 |
| 10+ | $ 2.930 |
| 25+ | $ 2.630 |
| 50+ | $ 2.330 |
| 100+ | $ 2.040 |
| 250+ | $ 1.850 |
| 500+ | $ 1.650 |
| 1000+ | $ 1.640 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIQE006NE2LM5CGSCATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AK3795RL
Segmento de fita62AK3795
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id310A
Drain Source On State Resistance490µohm
Transistor Case StyleTFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation89W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
310A
Transistor Case Style
TFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
490µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
9Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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