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IPZA65R029CFD7XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 69A, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPZA65R029CFD7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark92AH5319
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.440 |
| 10+ | $ 12.550 |
| 25+ | $ 10.640 |
| 50+ | $ 8.740 |
| 100+ | $ 8.120 |
| 480+ | $ 7.500 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 14.44
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPZA65R029CFD7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark92AH5319
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation305W
Power Dissipation Pd305W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
305W
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
69A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
305W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos