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IPW65R065C7XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 33A, TO-247-3
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW65R065C7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark34AC1735
Gama de produtosCoolMOS C7
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 10 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.230 |
| 10+ | $ 5.390 |
| 25+ | $ 5.100 |
| 50+ | $ 4.820 |
| 100+ | $ 4.530 |
| 480+ | $ 4.420 |
| 720+ | $ 4.300 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 9.23
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW65R065C7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark34AC1735
Gama de produtosCoolMOS C7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.058ohm
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd171W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation171W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.058ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
171W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
171W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IPW65R065C7XKSA1
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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