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IPT030N12N3GATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 237A, HSOF
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.810 | $ 6.81 |
| Total Preço | $ 6.81 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.810 |
| 10+ | $ 4.270 |
| 25+ | $ 3.960 |
| 50+ | $ 3.640 |
| 100+ | $ 3.320 |
| 250+ | $ 3.200 |
| 500+ | $ 3.080 |
| 1000+ | $ 2.870 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT030N12N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida32AJ0656RL
Segmento de fita32AJ0656
Gama de produtosOptiMOS 3
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id237A
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Drain Source On State Resistance2500µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
237A
Drain Source On State Resistance
2500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto