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IPT007N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT007N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5273
Rodo à Medida50Y2078RL
Segmento de fita50Y2078
Também conhecido porIPT007N06N, SP001100158
Seu número de peça
3,746 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.590 | $ 7.59 |
| Total Preço | $ 7.59 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.590 |
| 10+ | $ 4.890 |
| 25+ | $ 4.540 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 3.160 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT007N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5273
Rodo à Medida50Y2078RL
Segmento de fita50Y2078
Também conhecido porIPT007N06N, SP001100158
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance750µohm
On Resistance Rds(on)660µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd375W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IPT007N06NATMA1 is a N-channel power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
- Industry's lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
750µohm
Transistor Case Style
HSOF
Power Dissipation Pd
375W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
On Resistance Rds(on)
660µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
