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IPP65R041CFD7XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 50A, TO-220
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP65R041CFD7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark92AH5314
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Seu número de peça
389 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.390 |
| 10+ | $ 7.970 |
| 25+ | $ 6.550 |
| 50+ | $ 5.130 |
| 100+ | $ 4.720 |
| 250+ | $ 4.360 |
| 500+ | $ 4.010 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 9.39
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP65R041CFD7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark92AH5314
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd227W
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
227W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto