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IPP60R170CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP60R170CFD7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark43AC9327
Gama de produtosCoolMOS CFD7
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.220 |
| 10+ | $ 4.020 |
| 25+ | $ 3.810 |
| 50+ | $ 2.250 |
| 100+ | $ 2.100 |
| 250+ | $ 1.960 |
| 500+ | $ 1.810 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP60R170CFD7XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark43AC9327
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
On Resistance Rds(on)0.144ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation75W
Power Dissipation Pd75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in soft switching topologies optimized for phase-shift full bridge (ZVS), LLC applications server, telecom, EV Charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency without standing ease-of-use/performance trade off
- Enabling increased power density solutions
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
On Resistance Rds(on)
0.144ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
