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IPP60R125C6XKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 30A, TO-220-3
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP60R125C6XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark13AC9082
Gama de produtosCoolMOS C6
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.680 |
| 10+ | $ 5.760 |
| 25+ | $ 4.840 |
| 50+ | $ 3.920 |
| 100+ | $ 3.650 |
| 250+ | $ 3.420 |
| 500+ | $ 3.190 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.68
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP60R125C6XKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark13AC9082
Gama de produtosCoolMOS C6
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd219W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation219W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
219W
Power Dissipation
219W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPP60R125C6XKSA1
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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