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IPP045N10N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP045N10N3GXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark85X6038
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.520 |
| 10+ | $ 2.700 |
| 100+ | $ 2.020 |
| 500+ | $ 1.690 |
| 1000+ | $ 1.560 |
| 2500+ | $ 1.480 |
| 5000+ | $ 1.450 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.52
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP045N10N3GXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark85X6038
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation214W
Power Dissipation Pd214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 100V OptiMOS™ 3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IPP045N10N3GXKSA1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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